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專注于電(diàn)子(zǐ)線路(lù)防護、電(diàn)磁兼容、能(σ&néng)源效率等領域産品研制(zhì)和(&ε<hé)技(jì)術(shù)革新
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低(dī)壓MOS
MOS
低(dī)壓MOS
Part Number
Type
Single-N
Single-P
ESD
No
Yes
VDS(V)
-60
-30
-20
-15
20
30
60
VGS(V)
±10
±12
±20
ID(A)
-15
-6
-5
-4.2
-3
-2.7
-1.6
0.34
2
3.3
4
5.8
VGS(TH)
-0.45~-1.2
-0.4~-1.0
-0.4~-2.5
-0.55~-1.25
-0.5~-1.5
-0.7~-1.3
-1.0~-2.5
-1.0~-3.0
-1~-3.0
0.6~1.3
1.0~2.5
RDS(mΩ)@VGS=10V Typ
-
20
32
33
42
43
75
77
85
120
1900
RDS(mΩ)@VGS=10V Max
-
19.5
30
32
33
42
47
51
55
60
65
90
100
150
160
2500
RDS(mΩ)@VGS=4.5V Typ
-
17
23
27
28
30
36
43
52
62
65
84
85
105
120
125
160
2000
RDS(mΩ)@VGS=4.5V Max÷↔>
25
29
35
40
42
45
48
65
70
75
85
95
120
136
150
240
250
3000
RDS(mΩ)@VGS=2.5V Typ
-
23
25
38
39
42
47
50
72
73
75
108
160
RDS(mΩ)@VGS=2.5V Max
-
32
40
55
60
70
90
140
230
Package
DFN2020-6L
SOT-23